| 热(rè)門(mén)搜索： 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
供應(yìng)信(xìn)息
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊，滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
ＺｎＯ 压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn)，形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì) ＺｎＯ、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富 Ｂｉ 相（图(tú) ３）。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi)，還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ＺｎＯ 压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)１５和(hé)２０μｍ 之(zhī)間(jiān)， 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。ＳｉＯ２的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng)，而(ér) ＴｉＯ２ 和(hé) ＢａＯ 則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng)，而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí)，中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de) ＺｎＯ 晶粒(lì)是(shì) ＺｎＯ 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純 ＺｎＯ 是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng) Ｉ－Ｕ 特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng) ｎ 型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù) ＺｎＯ 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì) Ｂｉ ２Ｏ３。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù)，在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷，施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng)， 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空(kōng)位(wèi)（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅
源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng)，一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)！
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制，廠(chǎng)家直(zhí)銷
連(lián)續工作(zuò)電(diàn)压MCOV
連(lián)續工作(zuò)電(diàn)压MCOV指的(de)是(shì)压敏電(diàn)阻在(zài)應(yìng)用(yòng)时(shí)能(néng)长(cháng)期(qī)承受的(de)直(zhí)流電(diàn)压UDC或(huò)交流電(diàn)压有(yǒu)效值URMS直(zhí)流電(diàn)压的(de)值为(wèi)80%~92%U1mA，或(huò)産品在(zài)85℃下(xià)，正(zhèng)常工作(zuò)1000h，施加的(de)直(zhí)流電(diàn)压；交流電(diàn)压的(de)值为(wèi)60%~65%U1mA，或(huò)産品在(zài)85℃下(xià)，正(zhèng)常工作(zuò)1000h，施加的(de)交流電(diàn)压。
源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻，工藝先(xiān)進(jìn)，質(zhì)量(liàng)可(kě)靠，量(liàng)大(dà)價從優，歡迎来(lái)電(diàn)咨詢！
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊，滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻因具有(yǒu)良好的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)特(tè)性(xìng)而(ér)成(chéng)为(wèi)低(dī)压電(diàn)源系(xì)統和(hé)信(xìn)息系(xì)統中(zhōng)電(diàn)湧防護的(de)主要(yào)設施。其(qí)可(kě)靠性(xìng)主要(yào)取(qǔ)決于压敏電(diàn)阻耐受電(diàn)湧沖击的(de)能(néng)力。一(yī)个(gè)性(xìng)能(néng)良好的(de)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)經(jīng)受電(diàn)湧沖击以後(hòu),其(qí)電(diàn)气(qì)特(tè)性(xìng)應(yìng)返回(huí)到(dào)初始狀态。然而(ér)在(zài)運行过(guò)程中(zhōng),由于經(jīng)受諸如(rú)電(diàn)應(yìng)力、機(jī)械應(yìng)力等各(gè)種(zhǒng)應(yìng)力的(de)作(zuò)用(yòng),压敏電(diàn)阻会出(chū)現(xiàn)性(xìng)能(néng)劣化(huà)和(hé)老(lǎo)化(huà)現(xiàn)象(xiàng),这(zhè)就(jiù)降低(dī)了(le)压敏電(diàn)阻電(diàn)湧防護的(de)能(néng)力。研究人(rén)員采用(yòng)了(le)多種(zhǒng)測量(liàng)及(jí)診斷裝(zhuāng)置来(lái)研究压敏電(diàn)阻的(de)老(lǎo)化(huà)機(jī)理(lǐ)及(jí)檢測金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)压敏電(diàn)阻內(nèi)部(bù)的(de)狀态[1～2]。一(yī)般經(jīng)常采用(yòng)的(de)方(fāng)法(fǎ)是(shì)測量(liàng)直(zhí)流1mA下(xià)压敏電(diàn)阻两(liǎng)端的(de)電(diàn)压或(huò)者(zhě)測量(liàng)压敏電(diàn)阻在(zài)一(yī)定(dìng)幅值8/20電(diàn)流沖击下(xià)的(de)殘压来(lái)对(duì)压敏電(diàn)阻的(de)電(diàn)气(qì)性(xìng)能(néng)進(jìn)行分(fēn)析判斷。但是(shì)这(zhè)些測試方(fāng)法(fǎ)只(zhī)能(néng)反(fǎn)映压敏電(diàn)阻的(de)整體(tǐ)性(xìng)能(néng),不(bù)能(néng)反(fǎn)映压敏電(diàn)阻的(de)老(lǎo)化(huà)及(jí)劣化(huà)的(de)程度(dù),所(suǒ)以無法(fǎ)为(wèi)判斷压敏電(diàn)阻的(de)性(xìng)能(néng)狀态提(tí)供可(kě)靠的(de)判據(jù)。
源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng)，一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)！
您好，歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子，歡迎咨詢...
 触屏版二(èr)維碼 |
